工程名稱： 創(chuàng)維半導體設計大廈幕墻工程

　　工程地點： 深圳市南山高新區(qū)南區(qū)[2007-003-0101]地塊

　　工程類別： 企業(yè)總部

　　建筑高度： 110 m

　　幕墻面積： 47000 ㎡

　　主要幕墻類型：單元式玻璃幕墻、框架玻璃幕墻、裙樓‘喇叭口’及采光頂

　　創(chuàng)維半導體設計中心位于深圳高新南區(qū)高新南四道與科技南十路交接西北角，占地17025.5平方米，建筑面積851128平方米，項目總投資91076萬元。項目內(nèi)容涵蓋：視頻芯片的設計與驗證、多媒體芯片的設計與驗證、伴音功率放大器芯片的設計與驗證、LED芯片設計、LED背光模組的設計及中試、OLED顯示技術等。